PN结习题包¶
如下习题绝大多数出自上海理工大学新手小牛老师的模拟电子技术视频,这是一份非常好的视频,帮助了博主良多,希望大家前去投币点赞三联. 其余的题目选自Sedra和Razavi两本教材,也很好,之后不再赘述.
判断题¶
题干¶
- N型半导体可以通过在纯净半导体中掺杂\(\ce{B^{+3}}\)来实现.
- 在P型半导体中大量掺\(\ce{P^{+5}}\)可以将它改为N型半导体.
- P型半导体带正电,N型半导体带负电.
- PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用形成的.
- 由于PN结交界面两边存在电位差,当把所示PN结两端两端短路就会有电流通过
- PN结方程(肖克利方程)不仅描述了PN结的正向/方向特性,还描述了其击穿特性
答案(标黄的部分表示这题笔者错过)¶
- 错的,应该掺五价的\(\ce{P^{+5}}\)
- 和上面的那题是一样的,但是这样的掺杂是对的,对的
- 所有的掺杂半导体都不带电,错的
- 在外电场的作用下,少子漂移,多子扩散,对的
- 错的,不带电的,PN结只能在外加偏置的情况下表现压差,其他情况均处于平衡肯定不带电,PN结不是电源
- 错的,没有描述击穿特性.
选择题¶
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(),而少数载流子的浓度与()十分密切?
- 温度
- 掺杂工艺
- 掺杂浓度
- 随着温度的升高,在杂质半导体中,少数载流子的浓度(),多数载流子的浓度()?
- 明显升高
- 明显降低
- 基本不变
- 设某二极管的反向电压为\(10\text{V}\),反向电流为\(0.1\mu\text{A}\),在反向电压保持不变的情况下,当二极管的结温度下降\(10 ^\circ\text{C}\)时,反向电流约为??()
- \(0.01\mu\text{A}\)
- \(0.05\mu\text{A}\)
- \(0.1\mu\text{A}\)
- \(0.2\mu\text{A}\)
答案¶
- 多子取决于掺杂,少子取决于温度,选3,1
- 因为少子的浓度和温度有关,所以选1,3
- 不知道的公式:
\[
I_{s}(T)=I_{s}(T_{0})2^{\frac{T-T_{0}}{10}}
\]
所以温度每降\(10 ^\circ\text{C}\),那么我们的电流就变为原来的一半,所以选2.